Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies : support to 4G technologie

Sprache: Englisch

Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2021

620279965X / 9786202799652

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The transistor development and its continuous down-scaling have improved during the last few decades the appearance of low-cost wireless communication systems targeting consumer products. The importance of device nonlinearity a new transistor model based on the independent representation of each of the transistor's nonlinear elements is developed with the aim of quantifying the individual contribution of each of the transistors nonlinear elements, to the total distortion.The design of next-generation 4G systems is one of the most active and important of research and development in wireless communication systems. The demand has been increased for low-cost RFIC designs. Many types of research are going on front end design of RF transceiver. The design of the receiver path has become a challenging aspect, because of increased interferences around the communication path. Operating frequency is higher in RFIC design. This makes the receiver path to experience the internal noises in the system.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9786202799652

Titel
Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies : support to 4G technologie
Autor
Nimushakavi Sn Murti Sarma
Verlag
LAP LAMBERT Academic Publishing
Erscheinungsjahr
2021
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
620279965X
ISBN-13
9786202799652
Artikelgewicht
250 Gramm
Abmessungen
220x150x10 mm

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