Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs

Sprache: Englisch

Verlag: Cambridge University Press, 2007

0521870666 / 9780521870665

Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering

Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices.…

Bestandsnummer des Verkäufers 9780521870665

Titel
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Autor
John Wood
Verlag
Cambridge University Press
Erscheinungsjahr
2007
Zustand
Neu
Einband
Buch
Sprache
Englisch
ISBN-10
0521870666
ISBN-13
9780521870665
Artikelgewicht
834 Gramm
Abmessungen
250x175x25 mm
Serie
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave Engineering

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