Ajaykumar dharmireddy (62 Ergebnisse)

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Taschenbuch. Zustand: Neu. Device modelling and characterisation of Hybrid devices | Hybrid Device for High Speed and Low Power Applications | Ajaykumar Dharmireddy (u. a.) | Taschenbuch | Englisch | 2024 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786208225315 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu. …

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Taschenbuch. Zustand: Neu. Modélisation et caractérisation des dispositifs hybrides | Dispositif hybride pour les applications à haute vitesse et à faible consommation d'énergie | Ajaykumar Dharmireddy (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Französisch | 2024 | Editions Notre Savoir | EAN 9786208321123 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.…

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Taschenbuch. Zustand: Neu. Modelação de dispositivos e caraterização de dispositivos híbridos | Dispositivo híbrido para aplicações de alta velocidade e baixa potência | Ajaykumar Dharmireddy (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Portugiesisch | 2024 | Edições Nosso Conhecimento | EAN 9786208321147 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.…
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Modellazione e caratterizzazione di dispositivi ibridi | Dispositivo ibrido per applicazioni ad alta velocità e bassa potenza | Ajaykumar Dharmireddy (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Italienisch | 2024 | Edizioni Sapienza | EAN 9786208321130 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.…
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Gerätemodellierung und Charakterisierung von Hybridgeräten | Hybridgerät für Hochgeschwindigkeits- und Niedrigleistungsanwendungen | Ajaykumar Dharmireddy (u. a.) | Taschenbuch | 140 S. | Deutsch | 2024 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786208321109 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.…

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Paperback. Zustand: new. Paperback. MOS Device Physics and Modeling provides a clear and rigorous introduction to semiconductor device physics and modeling techniques used in modern electronic devices. The book systematically covers MOS device fundamentals, MOS capacitor and MOSFET modeling, short-channel effects, compact models, and advanced nanoscale transistor architectures. Designed for senior undergraduate and postgraduate students, doctoral researchers, and practicing engineers, this textbook combines physical insight with analytical modeling to support both coursework and research in semiconductor devices and nanoelectronics. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability. …

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Paperback. Zustand: new. Paperback. MOS Device Physics and Modeling provides a clear and rigorous introduction to semiconductor device physics and modeling techniques used in modern electronic devices. The book systematically covers MOS device fundamentals, MOS capacitor and MOSFET modeling, short-channel effects, compact models, and advanced nanoscale transistor architectures. Designed for senior undergraduate and postgraduate students, doctoral researchers, and practicing engineers, this textbook combines physical insight with analytical modeling to support both coursework and research in semiconductor devices and nanoelectronics. This item is printed on demand. Shipping may be from our Sydney, NSW warehouse or from our UK or US warehouse, depending on stock availability. …

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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In low-power-high-speed electronic circuits, devices with steeper characteristics are required. The device's speed increases with steeper IV characteristics, and low power is achieved through operating the device in the subthreshold region. The measurement of currents in the subthreshold region is a big challenge. To achieve high switching, we need to propose a new device with the combined advantages of FinFET and TFET. This thesis proposed a hybrid device with an SS valueVDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 140 pp. Englisch.…