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Mosfet Modeling for Vlsi Simulation : Theory and Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New.
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: PBShop.store US, Wood Dale, IL, USA
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, SG, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: New. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.
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Mosfet Modeling for Vlsi Simulation : Theory and Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
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MOSFET MODELING FOR VLSI SIMULATION: THEORY AND PRACTICE (International Advances in Solid State Electronics and Technology)
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice (Paperback)
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, Singapore, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, USA
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Paperback. Zustand: new. Paperback. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Mosfet Modeling for Vlsi Simulation : Theory and Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Modeling for Vlsi Simulation : Theory and Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Modeling for Vlsi Simulation: Theory and Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Models for Vlsi Circuit Simulation : Theory and Practice
Buch 7 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Mosfet Models for Vlsi Circuit Simulation : Theory and Practice
Buch 7 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation: Theory and Practice (Computational Microelectronics)
Buch 7 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation
Buch 7 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Models for Vlsi Circuit Simulation : Theory and Practice
Buch 7 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Models for Vlsi Circuit Simulation : Theory and Practice
Buch 7 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, SG, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: Rarewaves.com UK, London, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: New. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice (Paperback)
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, Singapore, 2007
ISBN 10: 9813203307 ISBN 13: 9789813203303
Anbieter: AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australien
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Paperback. Zustand: new. Paperback. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs. Shipping may be from our Sydney, NSW warehouse or from our UK or US warehouse, depending on stock availability.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation | Theory and Practice | Narain D. Arora | Taschenbuch | XXII | Englisch | 2012 | Springer | EAN 9783709192498 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation: Theory and Practice
Buch 7 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation : Theory and Practice
Buch 7 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistors are the basic building block ofMOS integrated circuits (I C). Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits using MOS technology have emerged as the dominant technology in the semiconductor industry. Over the past decade, the complexity of MOS IC's has increased at an astonishing rate. This is realized mainly through the reduction of MOS transistor dimensions in addition to the improvements in processing. Today VLSI circuits with over 3 million transistors on a chip, with effective or electrical channel lengths of 0. 5 microns, are in volume production. Designing such complex chips is virtually impossible without simulation tools which help to predict circuit behavior before actual circuits are fabricated. However, the utility of simulators as a tool for the design and analysis of circuits depends on the adequacy of the device models used in the simulator. This problem is further aggravated by the technology trend towards smaller and smaller device dimensions which increases the complexity of the models. There is extensive literature available on modeling these short channel devices. However, there is a lot of confusion too. Often it is not clear what model to use and which model parameter values are important and how to determine them. After working over 15 years in the field of semiconductor device modeling, I have felt the need for a book which can fill the gap between the theory and the practice of MOS transistor modeling. This book is an attempt in that direction.
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Mosfet Modeling for VLSI Simulation : Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
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Mosfet Modeling for VLSI Simulation : Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
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Mosfet Modeling for VLSI Simulation : Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Modeling for VLSI Simulation : Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Modeling for VLSI Simulation: Theory And Practice (International Series on Advances in Solid State Electronics) (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology)
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, SG, 2007
ISBN 10: 981256862X ISBN 13: 9789812568625
Anbieter: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbHardback. Zustand: New. Illustrated. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.
