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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires For Optical Devices: Low-Dimensionality Related Effects And Growth
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: Basi6 International, Irving, TX, USA
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2 : Heterostructures and Optoelectronic Devices
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1 : Low-Dimensionality Effects and Growth
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2 : Heterostructures and Optoelectronic Devices
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: As New. Unread book in perfect condition.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2 (Hardcover)
Sprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc, London, 2014
ISBN 10: 1848216874 ISBN 13: 9781848216877
Anbieter: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Erstausgabe
Hardcover. Zustand: new. Hardcover. This book, the second of two volumes, describes heterostructures and optoelectronic devices made from GaN and ZnO nanowires. Over the last decade, the number of publications on GaN and ZnO nanowires has grown exponentially, in particular for their potential optical applications in LEDs, lasers, UV detectors or solar cells. So far, such applications are still in their infancy, which we analyze as being mostly due to a lack of understanding and control of the growth of nanowires and related heterostructures. Furthermore, dealing with two different but related semiconductors such as ZnO and GaN, but also with different chemical and physical synthesis methods, will bring valuable comparisons in order to gain a general approach for the growth of wide band gap nanowires applied to optical devices. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1: Low-Dimensionality Effects and Growth
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italien
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Zustand: new.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2 : Heterostructures and Optoelectronic Devices
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2
Sprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley and Sons Inc, 2014
ISBN 10: 1848216874 ISBN 13: 9781848216877
Anbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2
Sprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley and Sons Inc, GB, 2014
ISBN 10: 1848216874 ISBN 13: 9781848216877
Anbieter: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbHardback. Zustand: New. This book, the second of two volumes, describes heterostructures and optoelectronic devices made from GaN and ZnO nanowires. Over the last decade, the number of publications on GaN and ZnO nanowires has grown exponentially, in particular for their potential optical applications in LEDs, lasers, UV detectors or solar cells. So far, such applications are still in their infancy, which we analyze as being mostly due to a lack of understanding and control of the growth of nanowires and related heterostructures. Furthermore, dealing with two different but related semiconductors such as ZnO and GaN, but also with different chemical and physical synthesis methods, will bring valuable comparisons in order to gain a general approach for the growth of wide band gap nanowires applied to optical devices.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1 (Hardcover)
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringSprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc, London, 2014
ISBN 10: 1848215975 ISBN 13: 9781848215979
Anbieter: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Erstausgabe
Hardcover. Zustand: new. Hardcover. GaN and ZnO nanowires can by grown using a wide variety of methods from physical vapor deposition to wet chemistry for optical devices. This book starts by presenting the similarities and differences between GaN and ZnO materials, as well as the assets and current limitations of nanowires for their use in optical devices, including feasibility and perspectives. It then focuses on the nucleation and growth mechanismsof ZnO and GaN nanowires, grown by various chemical and physical methods. Finally, it describes the formation of nanowire heterostructures applied to optical devices. GaN and ZnO nanowires can by grown using a wide variety of methods from physical vapor deposition to wet chemistry for optical devices. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1 : Low-Dimensionality Effects and Growth
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringSprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley and Sons Inc, 2014
ISBN 10: 1848215975 ISBN 13: 9781848215979
Anbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2 : Heterostructures and Optoelectronic Devices
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices (Electronic Engineering)
Anbieter: Chiron Media, Wallingford, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices
Sprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc, 2014
ISBN 10: 1848216874 ISBN 13: 9781848216877
Anbieter: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices
Sprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc, 2014
ISBN 10: 1848216874 ISBN 13: 9781848216877
Anbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
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Erstausgabe
Zustand: New. Editor(s): Consonni, Vincent; Feuillet, Guy. Num Pages: 368 pages, black & white illustrations, figures. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 243 x 164 x 25. Weight in Grams: 558. . 2014. 1st Edition. Hardcover. . . . .
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringSprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley and Sons Inc, GB, 2014
ISBN 10: 1848215975 ISBN 13: 9781848215979
Anbieter: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1: Low-Dimensionality Effects and Growth (Electronics Engineering)
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: Chiron Media, Wallingford, Vereinigtes Königreich
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1: Low-Dimensionality Effects and Growth (Electronics Engineering)
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringEUR 214,53
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1: Low-Dimensionality Effects and Growth
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringSprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc, 2014
ISBN 10: 1848215975 ISBN 13: 9781848215979
Anbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Erstausgabe
Zustand: New. GaN and ZnO nanowires can by grown using a wide variety of methods from physical vapor deposition to wet chemistry for optical devices. Num Pages: 352 pages, illustrations (black and white). BIC Classification: TJFC; TTB. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 241 x 156 x 27. Weight in Grams: 722. . 2014. 1st Edition. Hardcover. . . . .
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires for Optical Devices
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 215,51
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Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 3 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. pp. 352.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1 : Low-Dimensionality Effects and Growth
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 206,54
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 210,74
EUR 14,66 Versand
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 368 pages. 9.50x6.50x1.00 inches. In Stock.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires for Optical Devices: Low-Dimensionality Related Effects and Growth (Electronics Engineering)
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: Mispah books, Redhill, SURRE, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 196,89
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Like New. LIKE NEW. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1 : Low-Dimensionality Effects and Growth
Buch 1 von 9: Electronics EngineeringAnbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: As New. Unread book in perfect condition.
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Zustand: New. pp. 352.
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Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2: Heterostructures and Optoelectronic Devices
Sprache: Englisch
Verlag: ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc, 2014
ISBN 10: 1848216874 ISBN 13: 9781848216877
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. Editor(s): Consonni, Vincent; Feuillet, Guy. Num Pages: 368 pages, black & white illustrations, figures. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 243 x 164 x 25. Weight in Grams: 558. . 2014. 1st Edition. Hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
