Meredith c kratzer (20 Ergebnisse)
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 308 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view toward controlling their behaviour through various forms of ¿defect engineering¿. For example, in the bulk, charging significantly affects the total c…oncentration of defects that are available to mediate phenomena such as solid-state diffusion. Surface defects play an important role in mediating surface mass transport during high temperature processing steps such as epitaxial film deposition, diffusional smoothing in reflow, and nanostructure formation in memory device fabrication. ¿Charged Defects in Semiconductors¿ details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors. Features: group IV, III-V, and oxide semiconductors; intrinsic and extrinsic defects; and, point defects, as well as defect pairs, complexes and clusters.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view toward controlling their behaviour through various forms of 'defect engineering'. For example, in the bulk, charging significantly affects the total concentration o…f defects that are available to mediate phenomena such as solid-state diffusion. Surface defects play an important role in mediating surface mass transport during high temperature processing steps such as epitaxial film deposition, diffusional smoothing in reflow, and nanostructure formation in memory device fabrication. 'Charged Defects in Semiconductors' details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors. Features: group IV, III-V, and oxide semiconductors; intrinsic and extrinsic defects; and, point defects, as well as defect pairs, complexes and clusters.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view toward controlling their behaviour through various forms of 'defect engineering'. For example, in the bulk, charging significantly affects the total concentration of defec…ts that are available to mediate phenomena such as solid-state diffusion. Surface defects play an important role in mediating surface mass transport during high temperature processing steps such as epitaxial film deposition, diffusional smoothing in reflow, and nanostructure formation in memory device fabrication. 'Charged Defects in Semiconductors' details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors. Features: group IV, III-V, and oxide semiconductors; intrinsic and extrinsic defects; and, point defects, as well as defect pairs, complexes and clusters.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view toward controlling their behaviour through various forms of 'defect engineering'. For example, in the bulk, charging significantly affects the total… concentration of defects that are available to mediate phenomena such as solid-state diffusion. Surface defects play an important role in mediating surface mass transport during high temperature processing steps such as epitaxial film deposition, diffusional smoothing in reflow, and nanostructure formation in memory device fabrication. 'Charged Defects in Semiconductors' details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors. Features: group IV, III-V, and oxide semiconductors; intrinsic and extrinsic defects; and, point defects, as well as defect pairs, complexes and clusters. 308 pp. Englisch.
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