Rudan massimo (57 Ergebnisse)
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Zustand: Muy bueno. : Este libro de tapa dura, publicado el 12 de diciembre de 2014 por Springer, ofrece un análisis profundo de la física de los dispositivos semiconductores. Con 649 páginas, es una obra exhaustiva para estudiantes y profesionales del campo. Escrito por Massimo Rudan, este libro es una valiosa adición a cualqui…er biblioteca técnica. EAN: 9781493911509 Tipo: Libros Categoría: Ciencias|Tecnología Título: Physics of Semiconductor Devices Autor: Massimo Rudan Páginas: 649 Formato: tapa dura.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Physics of Semiconductor Devices | Massimo Rudan | Taschenbuch | xxiii | Englisch | 2016 | Springer Nature B.V. | EAN 9781493946990 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physics, w…hile keeping the internal coherence of the concepts and explaining various levels of approximation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS). The final chapters aredevoted to the description of some basic fabrication steps, and to measuring methods for the semiconductor-device parameters.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Physics of Semiconductor Devices | Massimo Rudan | Taschenbuch | xlviii | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9783319874869 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical concepts, while keeping the internal coh…erence of the analysis and explaining the different levels of approximation. Coverage includes the main steps used in the fabrication process of integrated circuits: diffusion, thermal oxidation, epitaxy, and ion implantation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS, CMOS), including a number of solid-state sensors. The final chapters are devoted to the measuring methods for semiconductor-device parameters, and to a brief illustration of the scaling rules and numerical methods applied to the design of semiconductor devices.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical conc…epts, while keeping the internal coherence of the analysis and explaining the different levels of approximation. Coverage includes the main steps used in the fabrication process of integrated circuits: diffusion, thermal oxidation, epitaxy, and ion implantation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS, CMOS), including a number of solid-state sensors. The final chapters are devoted to the measuring methods for semiconductor-device parameters, and to a brief illustration of the scaling rules and numerical methods applied to the design of semiconductor devices.
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Springer Handbook of Semiconductor Devices
Rudan, Massimo (EDT); Brunetti, Rossella (EDT); Reggiani, Susanna (EDT)
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Verlag: Springer, 2022
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2022
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Verlag: Springer Nature Switzerland AG, Cham, 2022
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Hardcover. Zustand: new. Hardcover. This Springer Handbook comprehensively covers the topic of semiconductor devices, embracing all aspects from theoretical background to fabrication, modeling, and applications.Nearly 100 leading scientists from industry and academia were selected to write the handbook's chapters, which were con…ceived for professionals and practitioners, material scientists, physicists and electrical engineers working at universities, industrial R&D, and manufacturers.Starting from the description of the relevant technological aspects and fabrication steps, the handbook proceeds with a section fully devoted to the main conventional semiconductor devices like, e.g., bipolar transistors and MOS capacitors and transistors, used in the production of the standard integrated circuits, and the corresponding physical models. In the subsequent chapters, the scaling issues of the semiconductor-device technology are addressed, followed by the description of novel concept-based semiconductor devices. The last section illustrates the numerical simulation methods ranging from the fabrication processes to the device performances.Each chapter is self-contained, and refers to related topics treated in other chapters when necessary, so that the reader interested in a specific subject can easily identify a personal reading path through the vast contents of the handbook. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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