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  • Shockley, William, and W. T. Read, Jr.

    Verlag: American Physical Society / American Institute of Physics / Physical Review, Lancaster, PA, 1952

    Anbieter: Denominator Books, Washington, DC, USA

    Verbandsmitglied: IOBA

    Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen 5 Sterne, Erfahren Sie mehr über Verkäufer-Bewertungen

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    Softcover. Zustand: Very Good. In The Physical Review, volume 87(5), September 1, 1952. This is pp. 835-842. Entire issue in blue paper wraps; very good with solid binding and slight wear to top of fore-edge and corners. This paper, which has been cited over 2500 times (Science Citation Index), was the first model of electron-hole recombination in a highly pure semiconductor, now known as Shockley-Read-Hall (SRH) recombination and of importance in semiconductors and solar technology. Issue also contains papers by Abraham Pais, Vera Kistiakowsky and others. * 003421.

  • SHOCKLEY, William and W.T. Read, Jr.

    Verlag: American Physical Society, 1952

    Anbieter: JF Ptak Science Books, Hendersonville, NC, USA

    Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen 5 Sterne, Erfahren Sie mehr über Verkäufer-Bewertungen

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    Soft cover. Zustand: Very Good. ++Shockley-Read-Hall (SRH)++ SHOCKLEY, William and W.T. Read, Jr. "Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons", in Physical Review, vol. 87, Issue 5, pp. 835-842, offered in the issue of pp 685-913. Original wrappers. Very good, solid copy, with the "AW" iin pen at upper right cover corner. Nice clean spine. An important paper cited 3000+times. "The statistics of the recombination of holes and electrons in semiconductors is analyzed on the basis of a model in which the recombination occurs through the mechanism of trapping. A trap is assumed to have an energy level in the energy gap so that its charge may have either of two values differing by one electronic charge. The dependence of lifetime of injected carriers upon initial conductivity and upon injected carrier density is discussed."--Smithsonian/NASA Astrophysics Data Center.