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Hf-based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: As New. Unread book in perfect condition.
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Hf-based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New.
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Zustand: New. 1st edition NO-PA16APR2015-KAP.
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Hf-based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 33,23
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Hf-based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 37,75
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Hf-BASED HIGH-k DIELECTRICS: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Sprache: Englisch
Verlag: Morgan and Claypool Publishers, 2005
ISBN 10: 1598290045 ISBN 13: 9781598290042
Anbieter: The Book Spot, Sioux Falls, MN, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Paperback. Zustand: New.
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Hf-Based High-k Dielectrics : Process Development, Performance Characterization, and Reliability
Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2007
ISBN 10: 3031014243 ISBN 13: 9783031014246
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (Ru-Ta alloy, Ru) was investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, were studied under constant voltage stress. Dynamic stressing has also been used. It was found that the combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime. The results from the polarity dependence studies showed that the substrate injection exhibited a shorter projected lifetime and worse soft breakdown behavior, compared to the gate injection. The origin of soft breakdown (first breakdown) was studied and the results suggested that the soft breakdown may be due to one layer breakdown in the bilayer structure (HfO2/SiO2: 4 nm/4 nm). Low Weibull slope was in part attributed to the lower barrier height of HfO2 at the interface layer. Interface layer optimization was conducted in terms of mobility, swing, and short channel effect using deep submicron MOSFET devices.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Hf-Based High-k Dielectrics | Process Development, Performance Characterization, and Reliability | Young-Hee Kim (u. a.) | Taschenbuch | Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices | x | Englisch | 2007 | Springer | EAN 9783031014246 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 39,64
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Hf-Based High-k Dielectrics: Process Development, Performance Characterization, and Reliability (Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices)
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
Zustand: New. PRINT ON DEMAND.
