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Gate Stacks With High-k Dielectrics and Metal Electrodes
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Gate Stacks with High-k Dielectrics and Metal Electrodes
Anbieter: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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Surface Potential of Dual Material Gate Mosfet with High-K Dielectrics
Sprache: Englisch
Verlag: VDM Verlag Dr. Mueller Aktiengesellschaft & Co. KG, 2013
ISBN 10: 3659421227 ISBN 13: 9783659421228
Zustand: New. pp. 64.
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Development and properties of Zirconia and Titania Derived Materials: for High-K Gate Dielectrics
Anbieter: WeBuyBooks, Rossendale, LANCS, Vereinigtes Königreich
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Gate Stacks with High-k Dielectrics and Metal Electrodes: Fermi Level Pinning and Dipoles Induced by Lanthanide Oxides
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Gate Stacks with High-k Dielectrics and Metal Electrodes: Fermi Level Pinning and Dipoles Induced by Lanthanide Oxides
Anbieter: Chiron Media, Wallingford, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Gate Stacks With High-k Dielectrics and Metal Electrodes
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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High k Gate Dielectrics (Series in Materials Science and Engineering)
Anbieter: Phatpocket Limited, Waltham Abbey, HERTS, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbZustand: Good. Pencil on inside page. Your purchase helps support Sri Lankan Children's Charity 'The Rainbow Centre'. Ex-library, so some stamps and wear, but in good overall condition. Our donations to The Rainbow Centre have helped provide an education and a safe haven to hundreds of children who live in appalling conditions.
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High K Gate Dielectrics
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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High K Gate Dielectrics
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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High k Gate Dielectrics (Series in Materials Science and Engineering)
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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High k Gate Dielectrics (Materials Science and Engineering (Hardcover))
Anbieter: The Spoken Word, Oxfordshire, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Very Good. No Jacket. 1st Edition. Published by IOP Publishing Ltd in 2004, here is the first hardback printing of High K Gate Dielectrics (Materials Science and Engineering Series)edited by M.Houssa. Orange boards, 601 illustrated pages the book is in very good condition with some light fading to the spine. The book is very heavy and therefore additional postage MUST be applied to areas OUTSIDE the UK as follows: Europe £6, Rest of the World £9. UK postage is as quoted and will be tracked for this item.
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Zustand: New. pp. 614.
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High K Gate Dielectrics
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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High K Gate Dielectrics
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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High k Gate Dielectrics
Anbieter: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback / softback. Zustand: New. New copy - Usually dispatched within 4 working days.
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Surface potential of Dual Material Gate MOSFET with high-k dielectrics | Short Channel Effects in MOSFET
Sprache: Englisch
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013
ISBN 10: 3659421227 ISBN 13: 9783659421228
Taschenbuch. Zustand: Neu. Surface potential of Dual Material Gate MOSFET with high-k dielectrics | Short Channel Effects in MOSFET | Swapnadip De | Taschenbuch | 64 S. | Englisch | 2013 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659421228 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
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Development and properties of Zirconia and Titania Derived Materials | for High-K Gate Dielectrics
Sprache: Englisch
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6200483132 ISBN 13: 9786200483133
Taschenbuch. Zustand: Neu. Development and properties of Zirconia and Titania Derived Materials | for High-K Gate Dielectrics | Sandeep K | Taschenbuch | Englisch | 2019 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786200483133 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Gate Stacks with High-k Dielectrics and Metal Electrodes | Fermi Level Pinning and Dipoles Induced by Lanthanide Oxides | Manhong Zhang | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Englisch | 2009 | VDM Verlag Dr. Müller | EAN 9783639150681 | Verantwortliche Person für die EU: OmniScriptum GmbH & Co. KG, Bahnhofstr. 28, 66111 Saarbrücken, info[at]akademikerverlag[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Nitrogen incorporation into high-k gate dielectrics | Evaluation of nitrogen incorporation effects in HfO2 and HfSiO gate dielectrics for improved MOSFET performance | Hag-Ju Cho | Taschenbuch | Englisch | VDM Verlag Dr. Müller | EAN 9783639157055 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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High-k Gate Dielectrics and Diffusion Barriers in Cu Metallization | Materials, Growth and Performance
Sprache: Englisch
Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, 2012
ISBN 10: 3659134368 ISBN 13: 9783659134364
Taschenbuch. Zustand: Neu. High-k Gate Dielectrics and Diffusion Barriers in Cu Metallization | Materials, Growth and Performance | Prodyut Majumder | Taschenbuch | Englisch | LAP Lambert Academic Publishing | EAN 9783659134364 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Gate Stacks with High-k Dielectrics and Metal Electrodes: Fermi Level Pinning and Dipoles Induced by Lanthanide Oxides
Anbieter: Rarewaves.com UK, London, Vereinigtes Königreich
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EUR 56,76
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Development and properties of Zirconia and Titania Derived Materials : for High-K Gate Dielectrics
Sprache: Englisch
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6200483132 ISBN 13: 9786200483133
Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | The semiconductor industry is in search of new materials that will aid in the miniaturization of electronic devices. High - k dielectrics will greatly reduce gate leakage current in CMOS circuit and will enable future low power processors. (Ba/Sr/Ca/Zn/Mg) Titanates and Zirconates are systems with high dielectric constant and low loss. They have many applications in the field of microwave electronics. Different compositions of titanates and zirconates are prepared by a modified combustion method. The prepared materials are characterized by X-ray Diffraction (XRD) method, transmission electron microscopy (TEM), scanning electron microscopy (SEM) and vibrational spectroscopy. The band gap of the developed materials is determined using UV- Vis spectrophotometer. The photoluminescent properties are studied using a spectrophotometer. The dielectric properties are measured using an LCR meter.
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EUR 85,25
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In den WarenkorbZustand: New. Michel Houssa Laboratoire Materiaux et Microelectronique de Provence, Universite de Provence, France Silicon Processing and Device Technology Division, IMEC, BelgiumThe drive toward smaller and smaller electronic componentry has huge implications.
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High-k Dielectrics and Metal Gates for Memory Applications | Investigation of High-k Dielectrics and Metal Gate Electrodes for Floating Gate Non-Volatile Memory Applications
Sprache: Englisch
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2012
ISBN 10: 3846588474 ISBN 13: 9783846588475
Taschenbuch. Zustand: Neu. High-k Dielectrics and Metal Gates for Memory Applications | Investigation of High-k Dielectrics and Metal Gate Electrodes for Floating Gate Non-Volatile Memory Applications | Srikant Jayanti | Taschenbuch | 252 S. | Englisch | 2012 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783846588475 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology.
Anbieter: Antiquariat Braun, Gengenbach, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: Wie neu. 25 x 17,5 cm. 590 Seiten. ISBN 9783527330324 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 1500 Pappband (noch originalverschweißt).
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Gate Stacks With High-k Dielectrics and Metal Electrodes
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Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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High K Gate Dielectrics
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 614 pages. 9.21x6.14x1.34 inches. In Stock.
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Gate Stacks with High-k Dielectrics and Metal Electrodes: Fermi Level Pinning and Dipoles Induced by Lanthanide Oxides
Anbieter: Mispah books, Redhill, SURRE, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Gate Stacks With High-k Dielectrics and Metal Electrodes
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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