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introduction junctionless double gate von dhiman gaurav (8 Ergebnisse)
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Sprache: Englisch
EUR 57,44
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Sprache: Englisch
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 60 pages. 8.66x5.91x0.14 inches. In Stock.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing Mär 2019, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Sprache: Englisch
Anbieter: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Deutschland
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EUR 39,90
Währung umrechnenEUR 60,00 für den Versand von Deutschland nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbTaschenbuch. Zustand: Neu. Neuware -The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 60 pp. Englisch.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing Mrz 2019, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Sprache: Englisch
Anbieter: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Deutschland
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EUR 39,90
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In den WarenkorbTaschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc. 60 pp. Englisch.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Sprache: Englisch
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbZustand: New. Print on Demand.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Sprache: Englisch
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Sprache: Englisch
EUR 34,25
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In den WarenkorbZustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Dhiman GauravGaurav Dhiman was born in Pathankot, India, in1981. He received the B.Tech. degree in Electronics and Communicationengineering from the Punjab Technical University, Jalandhar, India, in 2003,and the M.Tech. and Ph.D. deg.
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Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2019
ISBN 10: 6139462487 ISBN 13: 9786139462483
Sprache: Englisch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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In den WarenkorbTaschenbuch. Zustand: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.
