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Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Anbieter: Chiron Media, Wallingford, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Plasma Etching Processes for Cmos Devices Realization
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 100 pages. 9.25x6.25x0.75 inches. In Stock.
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Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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In den WarenkorbZustand: New. pp. 136.
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Zustand: New. pp. 136.
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Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Verlag: ISTE Press Ltd - Elsevier Inc, 2017
ISBN 10: 1785480960 ISBN 13: 9781785480966
Sprache: Englisch
Anbieter: THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Anbieter: Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italien
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Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Anbieter: BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Plasma etching has long enabled the perpetuation of Moore's Law. Today, etch compensation helps to create devices that are smaller than 20 nm. But, with the constant downscaling in device dimensions and the emergence of complex 3D structures (like FinFet, Nanowire and stacked nanowire at longer term) and sub 20 nm devices, plasma etching requirements have become more and more stringent.Now more than ever, plasma etch technology is used to push the limits of semiconductor device fabrication into the nanoelectronics age. This will require improvement in plasma technology (plasma sources, chamber design, etc.), new chemistries (etch gases, flows, interactions with substrates, etc.) as well as a compatibility with new patterning techniques such as multiple patterning, EUV lithography, Direct Self Assembly, ebeam lithography or nanoimprint lithography.This book presents these etch challenges and associated solutions encountered throughout the years for transistor realization. Englisch.
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Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Plasma etching has long enabled the perpetuation of Moore's Law. Today, etch compensation helps to create devices that are smaller than 20 nm. But, with the constant downscaling in device dimensions and the emergence of complex 3D structures (like FinFet, Nanowire and stacked nanowire at longer term) and sub 20 nm devices, plasma etching requirements have become more and more stringent.Now more than ever, plasma etch technology is used to push the limits of semiconductor device fabrication into the nanoelectronics age. This will require improvement in plasma technology (plasma sources, chamber design, etc.), new chemistries (etch gases, flows, interactions with substrates, etc.) as well as a compatibility with new patterning techniques such as multiple patterning, EUV lithography, Direct Self Assembly, ebeam lithography or nanoimprint lithography.This book presents these etch challenges and associated solutions encountered throughout the years for transistor realization.
