Semiconductor device modelling (62 Ergebnisse)
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Hardcover. Zustand: Bon. Ancien livre de bibliothèque avec équipements. Couverture différente. Edition 1987. Ammareal reverse jusqu'à 15% du prix net de cet article à des organisations caritatives. ENGLISH DESCRIPTION Book Condition: Used, Good. Former library book. Different cover. Edition 1987. Ammareal gives back up to 15% of… this item's net price to charity organizations.
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Zustand: Good. This is an ex-library book and may have the usual library/used-book markings inside.This book has soft covers. In good all round condition. Please note the Image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item,600grams, ISBN:9780070021532.
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Paperback. Zustand: New. This book deals mainly with physical device models which are developed from the carrier transport physics and device geometry considerations. The text concentrates on silicon and gallium arsenide devices and includes models of silicon bipolar junction transistors, junction field effect transistors (JFETs…), MESFETs, silicon and GaAs MESFETs, transferred electron devices, pn junction diodes and Schottky varactor diodes. The modelling techniques of more recent devices such as the heterojunction bipolar transistors (HBT) and the high electron mobility transistors are discussed. This book contains details of models for both equilibrium and non-equilibrium transport conditions. The modelling Technique of Small-scale devices is discussed and techniques applicable to submicron-dimensioned devices are included. A section on modern quantum transport analysis techniques is included. Details of essential numerical schemes are given and a variety of device models are used to illustrate the application of these techniques in various fields.
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Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, Singapore, 1987
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Paperback. Zustand: new. Paperback. This book deals mainly with physical device models which are developed from the carrier transport physics and device geometry considerations. The text concentrates on silicon and gallium arsenide devices and includes models of silicon bipolar junction transistors, junction field effect transis…tors (JFETs), MESFETs, silicon and GaAs MESFETs, transferred electron devices, pn junction diodes and Schottky varactor diodes. The modelling techniques of more recent devices such as the heterojunction bipolar transistors (HBT) and the high electron mobility transistors are discussed. This book contains details of models for both equilibrium and non-equilibrium transport conditions. The modelling Technique of Small-scale devices is discussed and techniques applicable to submicron-dimensioned devices are included. A section on modern quantum transport analysis techniques is included. Details of essential numerical schemes are given and a variety of device models are used to illustrate the application of these techniques in various fields. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Paperback. Zustand: New. This book deals mainly with physical device models which are developed from the carrier transport physics and device geometry considerations. The text concentrates on silicon and gallium arsenide devices and includes models of silicon bipolar junction transistors, junction field effect transistors (JFETs…), MESFETs, silicon and GaAs MESFETs, transferred electron devices, pn junction diodes and Schottky varactor diodes. The modelling techniques of more recent devices such as the heterojunction bipolar transistors (HBT) and the high electron mobility transistors are discussed. This book contains details of models for both equilibrium and non-equilibrium transport conditions. The modelling Technique of Small-scale devices is discussed and techniques applicable to submicron-dimensioned devices are included. A section on modern quantum transport analysis techniques is included. Details of essential numerical schemes are given and a variety of device models are used to illustrate the application of these techniques in various fields.
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Hardcover. Zustand: Very Good. No Jacket. First Edition. Ex library with the usual blemishes. A00000331.
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PF. Zustand: New.
Verlag: Library stamps/marks on first free endpapers and titelpage. Text clean. World Scientific.
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Zustand: Gebraucht / Used. 1986. Hardcover. xv,222pp.
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Zustand: As New. Unread book in perfect condition.
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company 1/1/1987, 1987
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Paperback or Softback. Zustand: New. Introd to Semiconductor Device Modelling. Book.
Semiconductor Device Modelling
Snowden, Christopher M.; Baets, Roel; Barker, John; Barnard, Joseph A.; Barton, Trevor M.; Clarke, Margaret E.; Cappy, Alain; Howes, Michael J.; Ingham, Derek; Miles, Robert E.; Mobbs, Stephen D.; Al-Mudares, Mustafa; Selberherr, Siegfried and Shur, Michael
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Anbieter: Westland Books, Wymondham, Vereinigtes KönigreichWestland Books
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Good. UK stocked, available immediately. Hardcover, published by Springer in 1989. First edition. Very minor rubbing to the printed board covers, the front endpaper has been clipped. The text is unmarked throughout, a nice copy. Illustrated. Weight (unpacked) is 678 grams.
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Paperback. Zustand: Brand New. 296 pages. 9.25x6.10x0.68 inches. In Stock.
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Anbieter: Better World Books Ltd, Dunfermline, Vereinigtes KönigreichBetter World Books Ltd
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Compound Semiconductor Device Modelling | Christopher M. Snowden (u. a.) | Taschenbuch | x | Englisch | 2011 | Springer | EAN 9781447120506 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
