Mannhart jochen (34 Ergebnisse)
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Paperback. Zustand: New. This proceedings volume contains papers presented at Symposium I, 'Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices', and Symposium J, 'Materials and Devices for Beyond CMOS Scaling', held April 5-9 at the 2010 MRS Spring Meeting in San Francisco, California. These symposia attracted 106 presentation…s, of which twenty-two were invited. Historically, scaling in Si CMOS was primarily led by lithography. In the last decade, this situation has been completely revolutionized with the introduction of the likes of copper interconnects, high-k gate dielectrics, metal gates, and strained silicon to meet the demands of the International Technology Roadmap for Semiconductors as the technology generations were reduced beyond 45 nm. As we look towards the end of the roadmap and beyond, the proliferation of potential solutions to meet the necessary performance challenges becomes truly staggering, and has motivated an exponential increase in research in a wide range of emerging materials and devices architectures.
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Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling
Ramanathan, Shriram (EDT); Guha, Supratik (EDT); Mannhart, Jochen (EDT); Kummel, Andrew C. (EDT); Watanabe, Heiji (EDT)
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Paperback. Zustand: New. This proceedings volume contains papers presented at Symposium I, 'Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices', and Symposium J, 'Materials and Devices for Beyond CMOS Scaling', held April 5-9 at the 2010 MRS Spring Meeting in San Francisco, California. These symposia attracted 106 presentation…s, of which twenty-two were invited. Historically, scaling in Si CMOS was primarily led by lithography. In the last decade, this situation has been completely revolutionized with the introduction of the likes of copper interconnects, high-k gate dielectrics, metal gates, and strained silicon to meet the demands of the International Technology Roadmap for Semiconductors as the technology generations were reduced beyond 45 nm. As we look towards the end of the roadmap and beyond, the proliferation of potential solutions to meet the necessary performance challenges becomes truly staggering, and has motivated an exponential increase in research in a wide range of emerging materials and devices architectures.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This proceedings volume contains papers presented at Symposium I, 'Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices', and Symposium J, 'Materials and Devices for Beyond CMOS Scaling', held April 5-9 at the 2010 MRS Spring Meeting in San Francisco…, California. These symposia attracted 106 presentations, of which twenty-two were invited. Historically, scaling in Si CMOS was primarily led by lithography. In the last decade, this situation has been completely revolutionized with the introduction of the likes of copper interconnects, high-k gate dielectrics, metal gates, and strained silicon to meet the demands of the International Technology Roadmap for Semiconductors as the technology generations were reduced beyond 45 nm. As we look towards the end of the roadmap and beyond, the proliferation of potential solutions to meet the necessary performance challenges becomes truly staggering, and has motivated an exponential increase in research in a wide range of emerging materials and devices architectures.
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Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling
Ramanathan, Shriram (EDT); Guha, Supratik (EDT); Mannhart, Jochen (EDT); Kummel, Andrew C. (EDT); Watanabe, Heiji (EDT)
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Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling: Volume 1252 (MRS Proceedings)
. Ed(s): Ramanathan, Shriram; Guha, Supratik; Mannhart, Jochen; Kummel, Andrew C.; Watanabe, Heiji; Thayne, Iain; Majhi, Prashant; Bonafos, Caroline;
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Zustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Ramanathan, Shriram; Guha, Supratik; Mannhart, Jochen; Kummel, Andrew C.; Watanabe, Heiji; Thayne, Iain; Majhi, Prashant; Bonafos, Caroline; Fujisaki, Yoshihisa; Dimitrakis, P. Serie…s: MRS Proceedings. Num Pages: Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 15. Weight in Grams: 364. . 2010. hardcover. . . . .
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Hardcover. Zustand: Brand New. 149 pages. 9.00x6.00x0.25 inches. In Stock.
Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling: Volume 1252 (MRS Proceedings)
. Ed(s): Ramanathan, Shriram; Guha, Supratik; Mannhart, Jochen; Kummel, Andrew C.; Watanabe, Heiji; Thayne, Iain; Majhi, Prashant; Bonafos, Caroline;
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Zustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Ramanathan, Shriram; Guha, Supratik; Mannhart, Jochen; Kummel, Andrew C.; Watanabe, Heiji; Thayne, Iain; Majhi, Prashant; Bonafos, Caroline; Fujisaki, Yoshihisa; Dimitrakis, P. Serie…s: MRS Proceedings. Num Pages: Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 15. Weight in Grams: 364. . 2010. hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling
Ramanathan, Shriram (EDT); Guha, Supratik (EDT); Mannhart, Jochen (EDT); Kummel, Andrew C. (EDT); Watanabe, Heiji (EDT)
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Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling
Ramanathan, Shriram (EDT); Guha, Supratik (EDT); Mannhart, Jochen (EDT); Kummel, Andrew C. (EDT); Watanabe, Heiji (EDT)
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This proceedings volume contains papers presented at Symposium I, 'Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices', and Symposium J, 'Materials and Devices for Beyond CMOS Scaling', held April 5-9 at the 2010 MRS Spring Meeting in San Francisco, Calif…ornia. These symposia attracted 106 presentations, of which twenty-two were invited. Historically, scaling in Si CMOS was primarily led by lithography. In the last decade, this situation has been completely revolutionized with the introduction of the likes of copper interconnects, high-k gate dielectrics, metal gates, and strained silicon to meet the demands of the International Technology Roadmap for Semiconductors as the technology generations were reduced beyond 45 nm. As we look towards the end of the roadmap and beyond, the proliferation of potential solutions to meet the necessary performance challenges becomes truly staggering, and has motivated an exponential increase in research in a wide range of emerging materials and devices architectures.
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Paperback. Zustand: Brand New. 1st edition. 162 pages. 8.90x5.90x0.50 inches. In Stock. This item is printed on demand.
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