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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Anbieter: California Books, Miami, FL, USA
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
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MODULATION-DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS PRINCIPLES/DESIGN/AND TECHNOLOGY
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Anbieter: Basi6 International, Irving, TX, USA
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
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Modulation-doped Field-effect Transistors: Applications And Circuits
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Anbieter: ALLBOOKS1, Direk, SA, Australien
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27Ga0.73N/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Applications and Circuits
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
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Internationale AusgabeMODULATION-DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS PRINCIPLES/DESIGN/AND TECHNOLOGY
Anbieter: UK BOOKS STORE, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors Morkoc, Hadis; etc.; Unlu, H. and Ji, G.
Anbieter: Librairie Parrêsia, Figeac, Frankreich
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Hardcover Apr 29, 1991. Zustand: Used: Very Good. Principles and Technology of Modulation Doped Field Effect Transistors: v. 1 | Morkoc et alii | Wiley, 1991, in-8 cartonnage éditeur, 261 pages. Couverture propre. Dos solide. Intérieur frais. Exemplaire de bibliothèque : petit code barre en pied de 1re de couv., cotation au dos, rares et discrets petits tampons à l'intérieur de l'ouvrage. Bel état ! [BT19+].
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Applications and Circuits
Anbieter: StainesBook, Weybridge, SURRE, Vereinigtes Königreich
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27Ga0.73N/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors
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In den WarenkorbZustand: New. KlappentextrnrnThe effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the qua.
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Temperature Dependent Current-Voltage Measurements of Neutron Irradiated Al0.27ga0.73n/Gan Modulation Doped Field Effect Transistors (Paperback or Softback)
Anbieter: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, USA
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Modulation-Doped Field-Effect Transistors: Principles, Design and Technology
Anbieter: BennettBooksLtd, San Diego, NV, USA
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hardcover. Zustand: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title!
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An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - The effects of radiation on AlxGa1-xN/GaN MODFETs is an area of increasing interest to the USAF as these devices become developed and integrated in satellite-based systems. Irradiation is also a valuable tool for analyzing the quantum-level characteristics and properties that are responsible for device operation. AlxGa1-xN/GaN MODFETs were fabricated and irradiated at liquid nitrogen temperatures by 0.45 -1.2 MeV electrons up to doses of 6 1016 e /cm2. Following irradiation, low temperature I-V measurements were recorded providing dose-dependent measurements. Temperature-dependent I-V measurements were also made during room temperature annealing following irradiation. I-V measurements indicate radiation-induced changes occur in these devices creating increased gate and drain currents. These increased currents are only maintained at low temperatures (T greater than 300 K). It is believed that the increase in gate current is caused by an increase in the electron trap concentration of the AlxGa1-xN layer. This increase in trap concentration directly increases the trap-assisted tunneling current resulting in the observed increase in gate current. The mechanism causing the increase in drain current is unknown. Several theories explaining this increase are presented along with the additional research necessary to illuminate the correct theory. This is the first experiment involving electron radiation of AlxGa1-xN/GaN MODFETs.
