Aaen peter (34 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge, Cambridge, 2007
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
- Erstausgabe
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Hardcover. Zustand: Very Fine. First Edition. No markings.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
Anbieter: Optimon Books, Gravesend, KENT, Vereinigtes KönigreichOptimon Books
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Paperback. Zustand: Fair. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and… the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF tran.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
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Zustand: New.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
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EUR 111,09
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Zustand: New.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
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Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 2011-06-30, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
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Paperback. Zustand: New.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes KönigreichGreatBookPricesUK
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Zustand: New.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
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Zustand: New. In.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
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hardcover. Zustand: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
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Zustand: As New. Unread book in perfect condition.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
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Zustand: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, black & white illustrations. BIC Classification: TJFD5; TJFN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 245 x 171 x 21. Weight in Grams: 634. . 2…011. 1st Edition. paperback. . . . .
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, GB, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
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Paperback. Zustand: New. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and…the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices.
Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Yang, Fan; Rahmat-Samii, Yahya; Cripps, Steve C. (EDT); Aaen, Peter (CON); Pla, Jaime A. (CON)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
Serie: Buch 3 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
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Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Yang, Fan; Rahmat-Samii, Yahya; Cripps, Steve C. (EDT); Aaen, Peter (CON); Pla, Jaime A. (CON)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
Serie: Buch 3 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
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EUR 144,02
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Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Yang, Fan; Rahmat-Samii, Yahya; Cripps, Steve C. (EDT); Aaen, Peter (CON); Pla, Jaime A. (CON)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
Serie: Buch 3 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
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Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Yang, Fan; Rahmat-Samii, Yahya; Cripps, Steve C. (EDT); Aaen, Peter (CON); Pla, Jaime A. (CON)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
Serie: Buch 3 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
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EUR 134,86
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Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press CUP, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
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Zustand: New. pp. 380 Index.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
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Zustand: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, black & white illustrations. BIC Classification: TJFD5; TJFN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 245 x 171 x 21. Weight in Grams: 634. . 2…011. 1st Edition. paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
Anbieter: California Books, Miami, FL, USACalifornia Books
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EUR 163,99
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Zustand: New.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes KönigreichRia Christie Collections
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Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
Anbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, IrlandKennys Bookshop and Art Galleries Ltd.
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EUR 174,41
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Zustand: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, 150 b/w illus. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 247 x 174 x 22. Weight in Grams: 800. . 2007. Illustrated. ha…rdcover. . . . .
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
Serie: Buch 3 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes KönigreichRevaluation Books
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Hardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 266 pages. 9.75x7.00x0.50 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, GB, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
Anbieter: Rarewaves.com UK, London, Vereinigtes KönigreichRarewaves.com UK
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Paperback. Zustand: New. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and…the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Hardcover
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USAKennys Bookstore
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EUR 216,85
EUR 8,99 VersandVersand innerhalb von USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
Zustand: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, 150 b/w illus. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 247 x 174 x 22. Weight in Grams: 800. . 2007. Illustrated. ha…rdcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge Univ Pr, 2007
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
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Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes KönigreichRevaluation Books
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Hardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 388 pages. 9.75x7.00x1.00 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
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Paperback / softback. Zustand: New. This item is printed on demand. New copy - Usually dispatched within 5-9 working days.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
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Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes KönigreichMajestic Books
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Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, Cambridge, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
- Softcover
- Print-on-Demand
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Paperback. Zustand: new. Paperback. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis me…thods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
Serie: Buch 1 von 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering
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Zustand: New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains…real-world examples.Inhaltsver.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
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