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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringAnbieter: Feldman's Books, Menlo Park, CA, USA
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Hardcover. Zustand: Very Fine. First Edition. No markings.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
ISBN 10: 0521870666 ISBN 13: 9780521870665
Anbieter: Optimon Books, Gravesend, KENT, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Good. THERE ARE NO TARIFFS OR CUSTOMS DUTIES ON BOOKS. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. Previous owner's name to ffep, otherwise very good.
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Optimon Books, Gravesend, KENT, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Fair. THERE ARE NO TARIFFS OR CUSTOMS DUTIES ON BOOKS. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices.
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: California Books, Miami, FL, USA
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 2011-06-30, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Chiron Media, Wallingford, Vereinigtes Königreich
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
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In den WarenkorbZustand: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, black & white illustrations. BIC Classification: TJFD5; TJFN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 245 x 171 x 21. Weight in Grams: 634. . 2011. 1st Edition. paperback. . . . .
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, GB, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Rarewaves.com USA, London, LONDO, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: New. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices.
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
ISBN 10: 0521870666 ISBN 13: 9780521870665
Anbieter: BennettBooksLtd, Los Angeles, CA, USA
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hardcover. Zustand: New. In shrink wrap. Looks like an interesting title!
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Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Buch 3 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 052188991X ISBN 13: 9780521889919
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Buch 3 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 052188991X ISBN 13: 9780521889919
Anbieter: GreatBookPrices, Columbia, MD, USA
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Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Buch 3 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 052188991X ISBN 13: 9780521889919
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power Fets
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press CUP, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Zustand: New. pp. 380 Index.
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Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Buch 3 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 052188991X ISBN 13: 9780521889919
Anbieter: GreatBookPricesUK, Woodford Green, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Modeling and Characterization of Rf and Microwave Power Fets (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbZustand: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, black & white illustrations. BIC Classification: TJFD5; TJFN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 245 x 171 x 21. Weight in Grams: 634. . 2011. 1st Edition. paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
ISBN 10: 0521870666 ISBN 13: 9780521870665
Anbieter: California Books, Miami, FL, USA
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
Zustand: New.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
ISBN 10: 0521870666 ISBN 13: 9780521870665
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 150,77
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In den WarenkorbZustand: New. In.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
ISBN 10: 0521870666 ISBN 13: 9780521870665
Anbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 174,41
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In den WarenkorbZustand: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, 150 b/w illus. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 247 x 174 x 22. Weight in Grams: 800. . 2007. Illustrated. hardcover. . . . .
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Electromagnetic Band Gap Structures in Antenna Engineering
Buch 3 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2008
ISBN 10: 052188991X ISBN 13: 9780521889919
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 180,65
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 266 pages. 9.75x7.00x0.50 inches. In Stock.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, GB, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Rarewaves.com UK, London, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 122,62
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: New. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power Fets
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This 2007 book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (The Cambridge RF and Microwave Engineering Series)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
ISBN 10: 0521870666 ISBN 13: 9780521870665
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 217,94
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In den WarenkorbZustand: New. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. Series: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series. Num Pages: 380 pages, 150 b/w illus. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 247 x 174 x 22. Weight in Grams: 800. . 2007. Illustrated. hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 218,01
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 388 pages. 9.75x7.00x1.00 inches. In Stock.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2007
ISBN 10: 0521870666 ISBN 13: 9780521870665
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This is a book about the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this is the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. All three authors work in the RF Division at Freescale Semiconductor, Inc., in Tempe Arizona. Peter H. Aaen is Modeling Group Manager, Jaime A. Plá is Design Organization Manager, and John Wood is Senior Technical Contributor responsible for RF CAD and Modeling, and a Fellow of the IEEE.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs (Paperback)
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, Cambridge, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Paperback. Zustand: new. Paperback. This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices. This book was the first to be devoted to the compact modeling of RF power FETs. In it, you will find the techniques, verification and validation procedures required to produce a transistor model. The text also contains real-world examples. This item is printed on demand. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Buch 1 von 20: Cambridge RF and Microwave EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2011
ISBN 10: 0521336171 ISBN 13: 9780521336178
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 102,25
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 1st edition. 378 pages. 9.50x6.70x0.90 inches. In Stock. This item is printed on demand.
