Rohin gupta (68 Ergebnisse)
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Thermodynamic Crystal Analysis | Chunesh B. Dua | Taschenbuch | 76 S. | Englisch | 2015 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659763762 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | 108 S. | Englisch | 2016 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659861116 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[…dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Französisch | 2024 | Editions Notre Savoir | EAN 9786208332006 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 490…78 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. SRAM CMOS Progettazione e analisi di una cella SRAM a bassa perdita e ad alta velocità | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Italienisch | 2024 | Edizioni Sapienza | EAN 9786208332020 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039… RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. CMOS SRAM Razrabotka i analiz qchejki SRAM s nizkim urownem utechki i wysokoj skorost'ü raboty | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Russisch | 2024 | Sciencia Scripts | EAN 9786208332013 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1039 RIGA, LETTLAND, customer…service[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. CMOS SRAM Projeto e análise de uma célula SRAM de baixa fuga e alta velocidade | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Portugiesisch | 2024 | Edições Nosso Conhecimento | EAN 9786208332068 | Verantwortliche Person für die EU: SIA OmniScriptum Publishing, Brivibas Gatve 197, 1…039 RIGA, LETTLAND, customerservice[at]vdm-vsg[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit | Rohin Gupta (u. a.) | Taschenbuch | 88 S. | Deutsch | 2024 | Verlag Unser Wissen | EAN 9786208331986 | Verantwortliche Person für die EU: Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, postfachit[at]b…od[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In the present book, a comprehensive study of the crystals using various thermodynamic relations and equation of states has been done.This is a research oriented book helpful for the students of Crystallography and Material Study and…for scientists, engineers and students who are working with empirical equations of state and thermodynamic approximations.In this work, the proper analysis of high pressure, high temperature properties of different crystals is done that can be used to acknowledge the research in different regions.This book gives a brief preview of various equations of state that can be used for calculations in various fields. 76 pp. Englisch.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In this work The novel single ended 5T and 6T SRAM cell is presented. This transistor is high density cell or takes less area than conventional 6T SRAM cell. Leakage current of this cell is very low as compared to other 5T or conventi…onal 6T cell. There is a requirement of precharge circuit for this cell as that in conventional 6T SRAM cell. This cell is also power efficient. Also results show that the data stored in this cell is highly stable.There is always scope of improvement in any type of circuit or application. With the proposed configuration we can improve it with various techniques. We can change aspect ratio of the cell for better results. We can apply clock gating for power efficient circuit. We can improve peripheral circuit for better performance. 108 pp. Englisch.
