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Memory Nanomaterials: Growth, Characterization and Device Fabrication (Hardback or Cased Book)
Anbieter: BargainBookStores, Grand Rapids, MI, USA
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Memory Nanomaterials
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Silicon Nanodevices (Hardback or Cased Book)
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Silicon Nanodevices
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Silicon Nanodevices
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Silicon Nanodevices
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Silicon Nanodevices
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Silicon Nanodevices
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses)
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses)
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Investigation On Sige Selective Epitaxy
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
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Investigation On Sige Selective Epitaxy
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irland
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Zustand: New. pp. XVI, 115 1st ed. 2019 edition NO-PA16APR2015-KAP.
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses)
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 132 pages. 9.25x6.10x0.55 inches. In Stock.
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond
Buch 652 von 797: Springer ThesesSprache: Englisch
Verlag: Springer Nature Singapore, 2019
ISBN 10: 9811500452 ISBN 13: 9789811500459
Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and addresses both device processing and epitaxy modelling. As the CMOS technology roadmap calls for continuously downscaling traditional transistor structures, controlling the parasitic effects of transistors, e.g. short channel effect, parasitic resistances and capacitances is becoming increasingly difficult. The emergence of these problems sparked a technological revolution, where a transition from planar to three-dimensional (3D) transistor design occurred in the 22nm technology node. The selective epitaxial growth (SEG) method has been used to deposit SiGe as stressor material in S/D regions to induce uniaxial strain in the channel region. The thesis investigates issues of process integration in IC production and concentrates on the key parameters of high-quality SiGe selective epitaxial growth, with a special focus on its patterndependency behavior and on key integration issues in both 2D and 3D transistor structures, the goal being to improve future applications of SiGe SEG in advanced CMOS.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond | Guilei Wang | Taschenbuch | Springer Theses | xvi | Englisch | 2020 | Springer | EAN 9789811500480 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Investigation On Sige Selective Epitaxy
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New.
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Investigation On Sige Selective Epitaxy
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond
Buch 652 von 797: Springer ThesesSprache: Englisch
Verlag: Springer Nature Singapore, Springer Nature Singapore, 2019
ISBN 10: 9811500452 ISBN 13: 9789811500459
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and addresses both device processing and epitaxy modelling.As the CMOS technology roadmap calls for continuously downscaling traditional transistor structures, controlling the parasitic effects of transistors, e.g. short channel effect, parasitic resistances and capacitances is becoming increasingly difficult. The emergence of these problems sparked a technological revolution, where a transition from planar to three-dimensional (3D) transistor design occurred in the 22nm technology node.The selective epitaxial growth (SEG) method has been used to deposit SiGe as stressor material in S/D regions to induce uniaxial strain in the channel region. The thesis investigates issues of process integration in IC production and concentrates on the key parameters of high-quality SiGe selective epitaxial growth, with a special focus on its patterndependency behavior and on key integration issues in both 2D and 3D transistor structures, the goal being to improve future applications of SiGe SEG in advanced CMOS.
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and addresses both device processing and epitaxy modelling.As the CMOS technology roadmap calls for continuously downscaling traditional transistor structures, controlling the parasitic effects of transistors, e.g. short channel effect, parasitic resistances and capacitances is becoming increasingly difficult. The emergence of these problems sparked a technological revolution, where a transition from planar to three-dimensional (3D) transistor design occurred in the 22nm technology node.The selective epitaxial growth (SEG) method has been used to deposit SiGe as stressor material in S/D regions to induce uniaxial strain in the channel region. The thesis investigates issues of process integration in IC production and concentrates on the key parameters of high-quality SiGe selective epitaxial growth, with a special focus on its patterndependency behavior and on key integration issues in both 2D and 3D transistor structures, the goal being to improve future applications of SiGe SEG in advanced CMOS.
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond (Springer Theses)
Buch 652 von 797: Springer ThesesAnbieter: Mispah books, Redhill, SURRE, Vereinigtes Königreich
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EUR 170,47
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: New. New. book.
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond Guilei Wang
Buch 652 von 797: Springer ThesesSprache: Englisch
Verlag: Springer Nature Singapore, 2019
ISBN 10: 9811500452 ISBN 13: 9789811500459
Anbieter: BUCHSERVICE / ANTIQUARIAT Lars Lutzer, Wahlstedt, Deutschland
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Hardcover. Zustand: gut. 2019. Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond In deutscher Sprache. pages.
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Memory Nanomaterials: Growth, Characterization and Device Fabrication
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 53,78
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Silicon Nanodevices
Anbieter: PBShop.store US, Wood Dale, IL, USA
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HRD. Zustand: New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
